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　　专利摘要显示，本申请的实施例提供了含硅负极极片、二次电池和电子装置，該含硅负极极片包括极耳、负极集流体和设置在所述负极集流体至少一面的活性物质层，所述极耳从所述负极集流体一端延伸而出，该活性物质层在沿着所述极耳延伸的方向上具有宽度，并且活性物质层包括：第一区，占活性物质层的宽度的1/4‑1/2；以及第二区，占活性物质层的宽度的1/2‑3/4，其中，第一区比第二区更靠近极耳，并且其中，第一区的硅含量为W1，第二区的硅含量为W2，并且1.03＜W2/W1＜2。本申请提供的含硅负极极片，通过将在极片空间位置的较远离极耳的第二区具有较高的硅含量并且在空间位置的较靠近极耳的第一区具有较低的硅含量，降低了电解液空间位置分布带来的局部析锂问题。